삼성, 세계최초 3나노 미세공정 개발
경쟁사와 기술격차 1년 더 벌려
◆ 삼성·현대차 2020비전 ◆
삼성전자가 세계 최초로 3㎚(나노미터·1㎚는 10억분의 1m) 초미세 반도체 공정 기술 개발에 성공했다. 초미세 공정 기술에서 경쟁사들을 압도하면서 2030년 시스템반도체 세계 1위를 달성하겠다는 삼성전자의 중장기 비전에도 '청신호'가 켜졌다.
2일 삼성전자에 따르면 이재용 부회장은 이날 화성사업장 내 반도체연구소를 방문해 삼성전자가 세계 최초로 개발한 3나노 공정 기술을 보고받고, 삼성전자 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS)부문 사장단과 함께 차세대 반도체 전략을 논의했다.
이날 회의에는 DS부문장인 김기남 부회장을 비롯해 정은승 파운드리사업부 사장, 진교영 메모리사업부 사장, 강인엽 시스템LSI사업부 사장, 강호규 반도체연구소장(부사장) 등 주요 경영진이 모두 참석했다.
3나노 반도체 공정 기술에는 반도체 미세화의 한계를 극복할 수 있는 차세대 기술인 GAA(Gate-All-Around)가 적용됐다. GAA는 회로의 모든 면이 전류를 제어하는 게이트에 접촉된 구조로 최근 삼성전자가 공정 개발을 완료한 5나노 제품에 비해 칩 면적을 35% 줄이는 동시에 소비전력을 50% 감소시키면서 처리 속도는 약 30% 향상시킬 수 있다. 삼성전자는 경쟁사와의 기술 격차를 최소 1년 이상 벌릴 것으로 기대하고 있다. 이 부회장이 새해 첫 현장경영 목적지로 화성 반도체연구소를 찾은 것은 메모리에 이어 시스템반도체 분야에서 세계 1위가 되겠다는 비전을 임직원과 다시 한번 공유하면서 목표 달성 의지를 다진 것이라고 삼성전자는 설명했다. 이 부회장은 공정 개발 성과를 보고받으면서 "과거의 실적이 미래의 성공을 보장해 주지 않는다"며 "역사는 기다리는 것이 아니라 만들어 가는 것이다. 잘못된 관행과 사고는 과감히 폐기하고 새로운 미래를 개척해 나가자"고 말했다.
[전경운 기자 / 황순민 기자]
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